“데이터 속도 맞춰 기억·연산을 동시에”…차세대 AI 반도체 소자 구...

KAIST 연구팀이 메모리와 트랜지스터 기능을 결합한 차세대 AI 반도체 소자 'PDM'을 개발했다. 이 소자는 입력 데이터의 변화 속도에 맞춰 반응 특성을 조절할 수 있어, 기존 고정형 반도체보다 예측 오류를 약 40배 줄였다. 상용 CMOS 공정과 호환되어 자율주행, 로봇, 웨어러블 기기 등에 활용될 수 있다.

AI 요약

KAIST 연구팀이 입력 데이터의 변화 속도에 맞춰 반도체가 스스로 기억과 연산 처리를 동시에 조절하는 차세대 AI 반도체 소자 '프로그래머블 동적 멤트랜지스터(PDM)'를 개발했다. 기존 AI 반도체는 고정된 반응 특성을 가져 다양한 속도의 데이터를 동시에 처리하는 데 한계가 있었지만, PDM은 전하 저장층과 전자 포획층을 하나의 트랜지스터에 결합해 이 문제를 해결했다. 시계열 데이터 예측 실험에서 기존 고정형 반도체보다 예측 오류를 약 40배 줄였으며, 상용 CMOS 공정과 호환돼 대량 생산 가능성을 확인받았다.

핵심 포인트

  • KAIST 최신현 석좌교수 연구팀, 'PDM(프로그래머블 동적 멤트랜지스터)' 개발
  • 메모리(전하 저장층)와 반응 속도 조절(전자 포획층)을 하나의 트랜지스터에 결합
  • 시계열 데이터 예측 실험에서 예측 오류 약 40배 감소
  • 연구 결과 국제 학술지 '네이처 커뮤니케이션스' 7월호 게재

향후 전망

  • 자율주행차, 로봇, 웨어러블 기기 등 다양한 AI 기기의 성능 향상과 전력 소모 절감에 기여할 것으로 기대
  • CMOS 공정 호환으로 상용화 가능성 검증 완료
출처:네이버 뉴스 (디지털타임스)
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