AI 요약
삼성전자 평택캠퍼스는 P1(2017년)부터 P4(부분 가동)까지 생산라인을 갖춘 대규모 반도체 생산기지로 성장했다. P5 FAB1은 2028년 가동을 목표로 조성 중이며, AI 반도체 수요 확대와 차세대 HBM 공급에 대응할 핵심 인프라로 활용될 예정이다. 삼성전자는 HBM4에 1c D램 공정과 4나노 파운드리 베이스 다이를 적용했으며, P4·P5에 생산능력을 집중할 계획이다. 또한 반도체 제조 전 과정에 AI를 적용하는 '반도체 AI 팩토리' 구축을 추진 중이다.
핵심 포인트
- 평택캠퍼스 총 289만㎡(약 87만 평), P1~P4 가동 및 P5 FAB1 2028년 가동 목표
- P3 연면적 약 100만㎡로 단일 반도체 공장 세계 최대 규모
- HBM4에 6세대 10나노급 1c 공정과 4나노 파운드리 베이스 다이 적용
- 향후 수년간 5만개 이상 엔비디아 GPU 도입해 AI 팩토리 인프라 확대 예정
향후 전망
- P4 풀가동 및 P5 FAB2 추가 조성으로 AI 시대 메모리·파운드리 복합 생산기지 역할 강화
- AI 팩토리와 디지털 트윈 제조환경 구현으로 스마트 제조 전환 가속화 전망